晶振的選擇和PCB布局會對VCXO，CLK發(fā)生器的性能參數(shù)產(chǎn)生一定的影響，VCXO晶振該怎么選擇電路板設(shè)計？具體的由均特利為你詳細(xì)的分析和介紹。

VCXO晶振選擇晶體時，除了頻率、封裝、精度和工作溫度范圍，在VCXO應(yīng)用中還應(yīng)注意等效串聯(lián)電阻和負(fù)載電容。串聯(lián)電阻導(dǎo)致晶體的功耗增大。阻值越低，振蕩器越容易起振。負(fù)載電容是晶體的一個重要參數(shù)，首先，它決定了晶體的諧振頻率。一般晶體的標(biāo)稱頻率指的是其并聯(lián)指定負(fù)載電容后的諧振頻率。應(yīng)當(dāng)指出，此處的標(biāo)稱頻率是當(dāng)CL等于指定負(fù)載電容時利用公式
1.計算出的值，但不是利用計算出的值1/(2 π √L1C1)。因此，VCXO的調(diào)諧范圍與CL的值緊密相關(guān)。當(dāng)負(fù)載電容值較小時，VCXO的調(diào)諧范圍限制在上端；同樣，電容值較大時，調(diào)諧范圍將限制在下端。負(fù)載電容的適當(dāng)取值取決于VCXO的特性。例如，MAX9485設(shè)計中，為了均衡調(diào)諧范圍、調(diào)諧曲線中點(diǎn)、同時簡化電路板設(shè)計，我們選擇Ecliptek (ECX-5527-27)
2.具有14pf負(fù)載電容的27MHz晶體。使用這樣的晶體時，MAX9485具有±200ppm的牽引范圍。應(yīng)該指出，封裝會導(dǎo)致晶體牽引范圍的差異。一般金屬殼封裝比表貼器件(SMD)的牽引范圍更大。但是最近DAISHINKU Corp. [5]生產(chǎn)的一款新SMD晶體可達(dá)到與金屬殼晶體近似的牽引范圍。我們測試了這款SMD晶體(DSX530GA)，發(fā)現(xiàn)外接兩個4pf的并聯(lián)電容時可以實(shí)現(xiàn)±200ppm頻率牽引范圍