圖4.直接補(bǔ)償在隨后的開(kāi)發(fā)中(圖5中所示的間接補(bǔ)償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對(duì)網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進(jìn)行濾波,然后用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負(fù)載,再次導(dǎo)致頻率變化.恒溫晶振OCXO溫補(bǔ)晶振是如何實(shí)現(xiàn)電路補(bǔ)償中國(guó)電子市場(chǎng)對(duì)壓電石英晶振的需求是越來(lái)越大了，從而使晶體行業(yè)達(dá)到膨脹式的發(fā)展，尤其是近幾年時(shí)間國(guó)內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā)，從而導(dǎo)致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了恒溫晶振OCXO

圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時(shí)間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來(lái)直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過(guò)來(lái)會(huì)改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.，就拿我們晶振行業(yè)來(lái)說(shuō)像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉貼片式替代了，已經(jīng)成為小型化的走向，而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致，要求也越來(lái)越高，普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)的需求，所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展，而振蕩器里面的溫補(bǔ)晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭(zhēng)奪對(duì)象。4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的，但實(shí)際上總會(huì)有所偏差，這個(gè)偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號(hào)，或者對(duì)輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí)，通常振蕩器可以自己給

恒溫晶振OCXOTCXO我們俗稱(chēng)溫補(bǔ)晶振，是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。從而起到一個(gè)溫度補(bǔ)償?shù)淖饔眠@個(gè)想法是補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)牽引網(wǎng)絡(luò),然后調(diào)整振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補(bǔ)償?shù)木д耦l率響應(yīng)溫度(紅色)就像一個(gè)三階多項(xiàng)式曲線(如果你采用振蕩器非線性效果,更像是第五個(gè)),所以目標(biāo)是補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)是為了抵消溫度對(duì)晶體的影響而產(chǎn)生的電壓是有效的關(guān)于晶體曲線溫度軸的鏡像.補(bǔ)償電壓顯示為藍(lán)色,得到的頻率/溫度曲線以綠色顯示.。比普通石英振蕩器還要精確，比如說(shuō)在北方天氣寒冷，有些產(chǎn)品會(huì)因?yàn)樘鞖獾暮涑霈F(xiàn)不良的現(xiàn)象，嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)品癱瘓，所以就會(huì)用到TCXO晶振，這款晶振它會(huì)在天氣溫度變化中起到一個(gè)互相補(bǔ)助的作用，如果遇到氣溫低它會(huì)根據(jù)本身的補(bǔ)償電路由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生出的振蕩頻率偏差，從而保護(hù)產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

恒溫晶振OCXO二、溫補(bǔ)晶振的發(fā)展趨勢(shì)低功耗、小型化和精度，一直是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，溫補(bǔ)晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難，具體主要表現(xiàn)為兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小恒溫晶振OCXO全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門(mén)陣列(PGA)和專(zhuān)用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專(zhuān)門(mén)制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來(lái)更容易，更便宜。，溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。