這個想法是補償網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動牽引網(wǎng)絡(luò),然后調(diào)整振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補償?shù)木д耦l率響應(yīng)溫度(紅色)就像一個三階多項式曲線(如果你采用振蕩器非線性效果,更像是第五個),所以目標是補償網(wǎng)絡(luò)是為了抵消溫度對晶體的影響而產(chǎn)生的電壓是有效的關(guān)于晶體曲線溫度軸的鏡像.補償電壓顯示為藍色,得到的頻率/溫度曲線以綠色顯示.

壓控品振VCTCXO溫補晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補償方式已達到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三知次曲線變化）通過外道圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補償方式所做的石英晶體振蕩器壓控品振VCTCXO

全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

壓控品振VCTCXO一、溫補晶振溫度補償原理振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定其實貼片晶振溫度補償晶體振蕩器是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補償晶體振蕩器中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補晶振溫度補償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負載電容，使其隨溫度變化來補償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。

壓控品振VCTCXO二、溫補晶振的發(fā)展趨勢低功耗、小型化和精度，一直是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，溫補晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難，具體主要表現(xiàn)為兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小壓控品振VCTCXO二、電源和負載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設(shè)計者應(yīng)在建議的電源電壓容差和負載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動15pF的振蕩器在驅(qū)動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運行.，溫度補償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。