三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動、電壓特性、負(fù)載特性、功耗、封裝形式,對于工業(yè)產(chǎn)品,有時還要考慮沖擊和振動、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補輸出的要求.對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應(yīng)用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴(yán)格的對稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時間（小于5ns）.

溫補晶振TCXOH、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)1）標(biāo)稱頻率（Nominalfrequency）振蕩器標(biāo)明的工作頻率溫補晶振TCXO

。2）中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準(zhǔn)點溫度環(huán)境（25±2℃）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。

溫補晶振TCXO3、負(fù)載:其他條件保持不變，負(fù)載在規(guī)問定變化答范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱負(fù)載下的輸出頻率的最大允許頻偏4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的，但實際上總會有所偏差，這個偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號，或者對輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時，通常振蕩器可以自己給。4、電壓:其他條件保持不變，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱電源電壓下的輸出頻率的最大允許頻偏。

溫補晶振TCXO一個溫補晶振，可以通過測量溫度，然后自動調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變屬得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。用溫度補償?shù)姆椒p少頻率失真，因為振蕩器工作時由于電阻的作用（晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻）就會有溫升溫補晶振TCXO這個想法是補償網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動牽引網(wǎng)絡(luò),然后調(diào)整振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補償?shù)木д耦l率響應(yīng)溫度(紅色)就像一個三階多項式曲線(如果你采用振蕩器非線性效果,更像是第五個),所以目標(biāo)是補償網(wǎng)絡(luò)是為了抵消溫度對晶體的影響而產(chǎn)生的電壓是有效的關(guān)于晶體曲線溫度軸的鏡像.補償電壓顯示為藍(lán)色,得到的頻率/溫度曲線以綠色顯示.，溫度升高對半導(dǎo)體影響很大，會使半導(dǎo)體的工作點發(fā)生飄移從而導(dǎo)致振蕩頻率的變化，這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘（單片機或者電腦）要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準(zhǔn)！