一個(gè)溫補(bǔ)晶振，可以通過測量溫度，然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。溫補(bǔ)晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方zhidao式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫回度成三次曲線變化）通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫答度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器壓控品振VCTCXO晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器壓控品振VCTCXO

出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用，這個(gè)精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。6）輸出波形（Outputwaveform）正弦:負(fù)載能力方波:上升沿時(shí)間、下降沿時(shí)間、占空比、高/低電平振蕩器工作時(shí)輸出的波形及波形的具體特性。，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加LC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。（1）測試出補(bǔ)償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計(jì)算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值；（3）裝配溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，測試成品振蕩器f-T曲線，評(píng)價(jià)論證補(bǔ)償效果。可以看出，獲得準(zhǔn)確的V-T曲線參數(shù)是溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低，關(guān)系著成品溫補(bǔ)晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。

壓控品振VCTCXO3、負(fù)載:其他條件保持不變，負(fù)載在規(guī)問定變化答范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱負(fù)載下的輸出頻率的最大允許頻偏應(yīng)用軟件采用VB6.0編寫，后臺(tái)數(shù)據(jù)庫采用MicrosoftAccess數(shù)據(jù)庫。運(yùn)行軟件，可以對程控儀器設(shè)備進(jìn)行操作和控制，實(shí)現(xiàn)測試過程的自動(dòng)控制、數(shù)據(jù)自動(dòng)測試以及自動(dòng)記錄，為溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)計(jì)算過程提供準(zhǔn)確可靠的輸入數(shù)據(jù)。。4、電壓:其他條件保持不變，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱電源電壓下的輸出頻率的最大允許頻偏。

壓控品振VCTCXO未來溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機(jī)械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw壓控品振VCTCXO2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號(hào)的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。