高低電平（“1”and“0”level）。7）工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時(shí)，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率偏移。

高頻晶振恒溫晶振和溫補(bǔ)晶振有什么區(qū)別？一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上高頻晶振

。如溫補(bǔ)晶振一般能達(dá)到-7量級(jí)，而恒溫晶振可達(dá)到-9量級(jí)。因此恒溫晶振一般用于高端測(cè)量儀器，如頻率計(jì)、信號(hào)發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動(dòng)、電壓特性、負(fù)載特性、功耗、封裝形式,對(duì)于工業(yè)產(chǎn)品,有時(shí)還要考慮沖擊和振動(dòng)、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨(dú)特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求.對(duì)稱性、上升和下降時(shí)間以及邏輯電平對(duì)某些應(yīng)用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴(yán)格的對(duì)稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時(shí)間（小于5ns）.

高頻晶振無論什么晶振，在電路中只有一個(gè)作用，那就是提供穩(wěn)定的頻率輸出。不同的是壓控晶振可以通過壓控端的電壓微調(diào)控制輸出的頻率的高低四、相位噪聲和抖動(dòng)在頻域測(cè)量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實(shí)量度.它可測(cè)量到中心頻率的1Hz之內(nèi)和通常測(cè)量到1MHz.晶體振蕩器的相位噪聲在遠(yuǎn)離中心頻率的頻率下有所改善.TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能.抖動(dòng)與相位噪聲相關(guān),但是它在時(shí)域下測(cè)量.以微微秒表示的抖動(dòng)可用有效值或峰—峰值測(cè)出.許多應(yīng)用,例如通信網(wǎng)絡(luò)、無線數(shù)據(jù)傳輸、ATM和SONET要求必須滿足嚴(yán)格的拌動(dòng)指標(biāo).需要密切注意在這些系統(tǒng)中應(yīng)用的振蕩器的抖動(dòng)和相位噪聲特性.，而溫補(bǔ)晶振則自動(dòng)根據(jù)環(huán)境溫度的變化對(duì)頻率輸出進(jìn)行補(bǔ)償，使輸出的頻率穩(wěn)定，當(dāng)然一些溫補(bǔ)晶振也帶有壓控端。

高頻晶振無論是恒溫晶振還是溫補(bǔ)晶振無非就是個(gè)信號(hào)源9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時(shí)，由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的負(fù)載條件時(shí)的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)，為你的設(shè)備提供一個(gè)時(shí)間基準(zhǔn)高頻晶振。只要你了解它性能指標(biāo)你就可以相互代用。