并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計(jì)通過(guò)晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來(lái)呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。

壓控品振VCTCXOH、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)1）標(biāo)稱頻率（Nominalfrequency）振蕩器標(biāo)明的工作頻率壓控品振VCTCXO

。2）中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準(zhǔn)點(diǎn)溫度環(huán)境（25±2℃）和中心控制電壓時(shí)，測(cè)得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來(lái)更容易，更便宜。

壓控品振VCTCXO恒溫晶振是將石英晶體裝入一個(gè)保溫箱中，并將其溫度加溫到石英晶體溫度曲線高溫拐點(diǎn)溫度，使晶體始終工作在恒溫環(huán)境中頻率老化是不可避免的。同時(shí)方向可能為正也可能為負(fù)。又稱為日老化率、長(zhǎng)穩(wěn)等。12）短期頻率穩(wěn)定度(Shorttermstability)振蕩器短時(shí)間內(nèi)的頻率隨機(jī)起伏程度。注:以秒為單位，又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。。有些高端恒溫晶振還要加雙層恒溫槽，以達(dá)到更高的精度。溫補(bǔ)晶振是利用熱敏電阻搭成溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)計(jì)算來(lái)補(bǔ)償石英晶體溫度頻率曲線使其平滑，來(lái)實(shí)現(xiàn)在寬溫度范圍的頻率穩(wěn)定度。

壓控品振VCTCXO石英晶體諧振器的發(fā)展及其在無(wú)線系統(tǒng)中的應(yīng)用，由于TCXO具有較高的頻率穩(wěn)定度，而且體積小，在小電流下能夠快速啟動(dòng)，其應(yīng)用領(lǐng)域重點(diǎn)擴(kuò)展到移動(dòng)通信系統(tǒng)。TCXO作為基準(zhǔn)振蕩器為發(fā)送信道提供頻率基準(zhǔn)，同時(shí)作為接收通道的第一級(jí)本機(jī)振蕩器；另一只TCXO作為第2級(jí)本機(jī)振蕩器，將其振蕩信號(hào)輸入到第2變頻器壓控品振VCTCXO溫補(bǔ)晶振工作原理溫補(bǔ)振蕩器(TCXO)是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：。目前移動(dòng)電話要求的頻率穩(wěn)定度為0.1～2.5ppm（－30～+75℃），但出于成本上的考慮，通常選用的規(guī)格為1.5～2.5ppm。移動(dòng)電話用12～20MHz的TCXO代表性產(chǎn)品之一是VC－TCXO－201C1，采用直接補(bǔ)償方式，，由日本金石（KSS）公司生產(chǎn)。