變容二極管D兩端所加電壓（即補償電壓）由溫補網絡輸出，溫補網絡隨溫度自動調節(jié)輸出電壓，變容二極管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。溫補網絡補償電壓的測量多為人工手動完成。用小功率直流電壓源代替溫補網絡，改變溫度到目標點并保溫，然后調節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達到中心頻率，此時電壓源輸出即為該溫度點的補償電壓；在各測試溫度點重復以上操作，得到一組數據，即V-T曲線數據。這種手動測量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測試數據，容易產生誤差，難以實現(xiàn)精確快速的優(yōu)質生產。恒溫晶振我們已經生活在一個科技時代,相對十年前簡直是翻天覆地的變化.如今手表也可以打電話,不僅高端大氣上檔次還是高智能產品恒溫晶振

其實貼片晶振溫度補償晶體振蕩器是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補償晶體振蕩器中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：,發(fā)信息,拍照等功能一應俱全.可以通過手表經行定位.可以在公交車上面通過平板電腦辦公.各種便捷的智能產品讓我們瞬間都感覺與時代脫節(jié)的感覺.全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅動。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

恒溫晶振1、嚴格按照技術要求的規(guī)定，對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性，及時處理不良品并分析原因；2、壓封工序是將調好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能其它條件不變時，由于電源電壓在規(guī)定范圍內變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時間之間的關系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時間間隔內平均頻率的相對變化來表示。。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續(xù)沖氮氣，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時處理。其質量標準為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。

恒溫晶振TCXO溫補抄晶振是通過其附加的溫度補償電路使周圍溫度變化產生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器恒溫晶振二、電源和負載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設計者應在建議的電源電壓容差和負載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅動15pF的振蕩器在驅動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產品在低功率下運行.。它的溫度補償的原理呢就是通過改變振蕩回路中的負載電容，使其隨溫度變化襲來補償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產生的頻率漂移。