4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的，但實(shí)際上總會(huì)有所偏差，這個(gè)偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號(hào)，或者對(duì)輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí)，通常振蕩器可以自己給

壓控晶振TCXO溫補(bǔ)晶振是通過其附加的溫度補(bǔ)償電路使周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器壓控晶振

。它的溫度補(bǔ)償?shù)脑砟鼐褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使copy其隨溫度變化來補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂知移。（4）FLUKE45萬(wàn)用表支持串口程控，用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計(jì)算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測(cè)試目的要求，補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過程如下：將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測(cè)半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設(shè)備，打開電源，運(yùn)行程序，進(jìn)行參數(shù)設(shè)置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測(cè)試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進(jìn)）；點(diǎn)擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動(dòng)回0號(hào)參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進(jìn)1,根據(jù)1號(hào)位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時(shí)程控電源的E+即為所測(cè)補(bǔ)償電壓結(jié)果，同時(shí)記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號(hào)位測(cè)量，直到所有工位測(cè)試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測(cè)試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測(cè)試；繼續(xù)升溫，保溫、測(cè)量，直至全部溫度點(diǎn)測(cè)試完畢，一個(gè)測(cè)試過程完成。

壓控晶振一個(gè)溫補(bǔ)晶振，可以通過測(cè)量溫度，然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。用溫度補(bǔ)償?shù)姆椒p少頻率失真，因?yàn)檎袷幤鞴ぷ鲿r(shí)由于電阻的作用（晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻）就會(huì)有溫升溫補(bǔ)晶振，恒溫晶振，壓控晶振，普通鐘振，這些都是有源晶振，所以有源晶振肯定需要電源加入才能工作。恒溫晶振，由于晶體振蕩器的震蕩頻率會(huì)隨著溫度的變化而變化，故為了保持頻率的穩(wěn)定性，將晶振控制在一個(gè)恒定的溫度下工作以此來提高晶振的相頻特性。，溫度升高對(duì)半導(dǎo)體影響很大，會(huì)使半導(dǎo)體的工作點(diǎn)發(fā)生飄移從而導(dǎo)致振蕩頻率的變化，這些變化對(duì)使用者來說影響很大如無(wú)線電通訊、本地時(shí)鐘（單片機(jī)或者電腦）要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補(bǔ)償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補(bǔ)償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長(zhǎng)期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準(zhǔn)。

壓控晶振溫補(bǔ)振蕩器（TCXO）是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：（1）直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英水晶振子串聯(lián)而成的壓控晶振全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)。基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。。在溫度變化時(shí)，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí)，直接補(bǔ)償方式并不適宜。