二、電源和負載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設計者應在建議的電源電壓容差和負載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動15pF的振蕩器在驅(qū)動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運行.

壓控晶振理論上講，如果恒溫晶振與溫補晶振的輸出信號頻率一致，并且端接負載相同，輸出信號幅度又差不多的話，是可以互換的壓控晶振

。但是恒溫晶振與溫補晶振的應用與性能是完全不同的。恒溫晶振與溫補晶振都是在較寬的溫度范圍內(nèi)輸出一個較穩(wěn)定的信號頻率，但其工作方式不同。TCXO晶振溫度穩(wěn)定性水平(從5ppm到50ppb)通常是必要的,因為振蕩器將獨立工作,無論是在沒有外部頻率參考的系統(tǒng)中的自由運行模式,還是作為固定頻率參考TCXO在開環(huán)中工作的合成器,用于驅(qū)動DDS(直接數(shù)字合成),而DDS而不是TCXO被“鎖定”到外部參考.

壓控晶振晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時鐘信號。通常一個系統(tǒng)共用一個晶振，便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調(diào)整頻率的方法保持同步2）削峰正弦波（ClippingSine）：負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用，以提供系統(tǒng)所需的時鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要道不同頻率的時鐘信號，可以用與同一個晶振相連的不同鎖相環(huán)來提供。

壓控晶振未來溫補晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國內(nèi)的溫補晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw壓控晶振后一種情況(TCXO是開環(huán),頻率在DDS設置)正變得越來越普遍,因為設計人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來實現(xiàn)更好的頻率分辨率.由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的,因此設計人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞实念l率如何隨溫度變化做出某些假設,以便他們可以相應地規(guī)劃鎖相環(huán)的設計.由于靈活性,它們允許TCXO用于許多頻率控制應用,但一個重要領(lǐng)域是小型蜂窩基站(毫微微,微型和微微),通常它們被用作定時分配芯片的固定頻率源.。最高精度可達±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。