是不同振蕩器類型的典型溫度穩(wěn)定性的示意圖,范圍從標(biāo)準(zhǔn)VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.軸反轉(zhuǎn)使得曲線在增加溫度穩(wěn)定性的方向上增長(zhǎng).TCXO穩(wěn)定性范圍涵蓋VCXO和OCXO之間的中間位置(在某些情況下,重疊某些OCXO性能).溫補(bǔ)晶振TCXO晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片），石英晶體諧振器溫補(bǔ)晶振TCXO

（2）間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過(guò)晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加LC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。溫補(bǔ)晶振TCXO隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，小型化的產(chǎn)品越來(lái)越受到歡迎。在晶振行業(yè)也亦如此，如今越來(lái)越多的電子設(shè)備都選擇使用小巧輕薄的貼片晶振，插件晶振的使用范圍慢慢被縮小。今天小揚(yáng)來(lái)跟大家談一談如何區(qū)分貼片晶振的腳位方向?一、貼片晶振是什么?常說(shuō)的晶振，是石英晶體元器件中的一種溫補(bǔ)晶振TCXO

另外，石英晶體還有一個(gè)重要的特性——溫漂。所有的石英晶體材料做成的頻率器件，均有一定的溫漂。溫漂成為影響石英晶體諧振器及石英晶體振蕩器頻率精度的重要因素。溫補(bǔ)鐘振(TCXO)，恒溫鐘振(OCXO)，都是針對(duì)晶體的頻率溫度特性做相應(yīng)的補(bǔ)償，頻率精度TCXO小于±2.5ppm，OCXO小于±10ppb(1ppb=10-3ppm)，甚至更高。溫度補(bǔ)償，成為彌補(bǔ)石英晶體溫漂的重要手段。然而，市面上針對(duì)KHZ級(jí)別的溫補(bǔ)鐘振少之又少，其原因，我可以從晶體的切型方面分析。。石英晶體諧振器、石英晶體振蕩器、石英晶體濾波器均為石英晶體元器件。石英晶體是一種壓電晶體。壓電晶體當(dāng)受特定方向擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。根據(jù)效應(yīng)情況不同，分為正壓電效應(yīng)與逆壓電效應(yīng)。貼片晶振主要是用于電路中的時(shí)鐘模塊，來(lái)提供相應(yīng)的時(shí)鐘基準(zhǔn)，常見的應(yīng)用主要是嵌入式設(shè)計(jì)，如FPGA、DSP等開發(fā)板中。

溫補(bǔ)晶振TCXO圖5間接補(bǔ)償目前的方法將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和拉網(wǎng)絡(luò)集成到一個(gè)集成電路中(如圖6所示),補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運(yùn)算放大器組成,這些運(yùn)算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補(bǔ)償方法一樣溫補(bǔ)晶振TCXO并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計(jì)通過(guò)晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來(lái)呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。,該電壓用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,這反過(guò)來(lái)又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測(cè)試期間得出了解決方案.兩個(gè)電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標(biāo)稱值,然后在測(cè)試期間獲得溫度補(bǔ)償功能所需的設(shè)置并存儲(chǔ)在片上存儲(chǔ)器中.