并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計(jì)通過(guò)晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來(lái)呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。守時(shí)晶振溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)

注：1）電壓范圍：用來(lái)調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0～3.3V,0.3～3.0V,0～5V,0.5～4.5V等。2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時(shí)候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3）極性：當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時(shí)候，壓控極性為正極性，反之為負(fù)極性。，是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。守時(shí)晶振為了能讓廣大新老客戶更好的了解溫補(bǔ)晶振性能，我們把溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償原理做了個(gè)簡(jiǎn)單的測(cè)試。溫補(bǔ)晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。典型的溫補(bǔ)晶振原理示意圖。振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償?shù)脑砭褪峭ㄟ^(guò)改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使其隨溫度變化來(lái)補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。

守時(shí)晶振隨著各種高端智能產(chǎn)品的火爆,電子元器件也從中分到了一杯羹.晶振是一個(gè)典型的例子.晶振是百分之八十以上電子產(chǎn)品的核心命脈.假如沒(méi)有晶振的支持絕大部分電子相關(guān)智能產(chǎn)品將會(huì)陷入癱瘓然而引起嚴(yán)重后果.隨著電子產(chǎn)品的變化晶振也在不斷的更新?lián)Q代.從以前的大體積到現(xiàn)在的超小超薄型貼片晶振成為市場(chǎng)主流原材料的選擇石英晶振是由晶片、支架、導(dǎo)電膠、引腳、陶瓷基座和外殼組成，在原材料選擇中，卡斯電子都全部通過(guò)SGS認(rèn)證，從原料、生產(chǎn)、性能，、外觀等方面嚴(yán)格檢控。,在整個(gè)變化中對(duì)于行業(yè)的技術(shù)來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)極大的挑戰(zhàn).由于市場(chǎng)的需求日本KDS、CITIZEN等大型品牌帶領(lǐng)整個(gè)行業(yè)邁向科技前沿,研發(fā)新型技術(shù),更新生產(chǎn)設(shè)備,制造高精度晶體來(lái)滿足市場(chǎng)需求.由于高端智能產(chǎn)品的涌現(xiàn),對(duì)于各種元器件的要求也是極高.溫補(bǔ)晶振、壓控晶振逐步被眾多高端市場(chǎng)所選用,但是溫補(bǔ)、壓控晶振使技術(shù)更加提升,成本也是相對(duì)增加.作為一名晶振銷售人員,很多采購(gòu)并不知道在選擇晶振的時(shí)候該注意哪一些特性.才能夠在使用的過(guò)程中讓產(chǎn)品變得更加穩(wěn)定.在此我為大家對(duì)于一些重要的特性經(jīng)行了簡(jiǎn)述:

守時(shí)晶振未來(lái)溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機(jī)械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw守時(shí)晶振其實(shí)貼片晶振溫度補(bǔ)償晶體振蕩器是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補(bǔ)償晶體振蕩器中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。