其實貼片晶振溫度補償晶體振蕩器是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補償晶體振蕩器中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：

晶振溫補晶振即溫度補償晶體知振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器晶振

。溫補晶振是通過其附加的溫度補償電路使周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英道晶體振蕩器。它的溫度補償?shù)脑砟鼐褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負載電容，使其隨溫度變化來補償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補償電壓）由溫補網(wǎng)絡輸出，溫補網(wǎng)絡隨溫度自動調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補晶振補償過程如下：

晶振溫補晶振內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為石英晶體振蕩回路和溫度補償網(wǎng)絡兩部分。石英晶體振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。傳統(tǒng)的TCXO是通過采用模擬器件進行補償，即通過改變振蕩回路中的負載電容等模擬器件，使其隨溫度而變化來補償晶體諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移二、電源和負載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設計者應在建議的電源電壓容差和負載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動15pF的振蕩器在驅(qū)動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運行.。這也叫模擬式溫度補償。隨著溫度補償技術的發(fā)展，很多采用數(shù)字化補償技術的TCXO逐漸開始出現(xiàn)，這種數(shù)字化補償?shù)?a href="http://xihayl.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振又叫DTCXO；還有一種用單片機進行補償?shù)?a href="http://xihayl.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振我們稱之為MCXO。數(shù)字化補償技術可實現(xiàn)晶振自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高。并且能夠適應更寬的工作溫度范圍。但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。因此，通常我們使用的都是采用的模擬式間接溫度補償?shù)?a href="http://xihayl.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振。

晶振未來溫補晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國內(nèi)的溫補晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw晶振2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。。最高精度可達±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學技術的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。