溫補晶振作用一個溫補晶振，可以通過溫度，然后自動調整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變得更準確和穩(wěn)定。

kds晶振恒溫晶振和溫補晶振有什么區(qū)別？一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上kds晶振

。如溫補晶振一般能達到-7量級，而恒溫晶振可達到-9量級。因此恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網絡分析儀等。4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關系是線性的，但實際上總會有所偏差，這個偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號，或者對輸出頻率有嚴格的控制要求時，通常振蕩器可以自己給

kds晶振無論什么晶振，在電路中只有一個作用，那就是提供穩(wěn)定的頻率輸出。不同的是壓控晶振可以通過壓控端的電壓微調控制輸出的頻率的高低四、相位噪聲和抖動在頻域測量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實量度.它可測量到中心頻率的1Hz之內和通常測量到1MHz.晶體振蕩器的相位噪聲在遠離中心頻率的頻率下有所改善.TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能.抖動與相位噪聲相關,但是它在時域下測量.以微微秒表示的抖動可用有效值或峰—峰值測出.許多應用,例如通信網絡、無線數(shù)據傳輸、ATM和SONET要求必須滿足嚴格的拌動指標.需要密切注意在這些系統(tǒng)中應用的振蕩器的抖動和相位噪聲特性.，而溫補晶振則自動根據環(huán)境溫度的變化對頻率輸出進行補償，使輸出的頻率穩(wěn)定，當然一些溫補晶振也帶有壓控端。

kds晶振二、溫補晶振的發(fā)展趨勢低功耗、小型化和精度，一直是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，溫補晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難，具體主要表現(xiàn)為兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小kds晶振2）削峰正弦波（ClippingSine）：負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、，溫度補償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。