溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO），是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類(lèi)型：晶振我們已經(jīng)生活在一個(gè)科技時(shí)代,相對(duì)十年前簡(jiǎn)直是翻天覆地的變化.如今手表也可以打電話,不僅高端大氣上檔次還是高智能產(chǎn)品晶振

全球硅振蕩器市場(chǎng)它主要受微處理器，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門(mén)陣列(PGA)和專(zhuān)用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)?；谖C(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測(cè)期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng)。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場(chǎng)空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專(zhuān)門(mén)制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來(lái)更容易，更便宜。,發(fā)信息,拍照等功能一應(yīng)俱全.可以通過(guò)手表經(jīng)行定位.可以在公交車(chē)上面通過(guò)平板電腦辦公.各種便捷的智能產(chǎn)品讓我們瞬間都感覺(jué)與時(shí)代脫節(jié)的感覺(jué).其它條件不變時(shí)，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的電源電壓時(shí)的頻率偏移。11）老化率（長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長(zhǎng)期變化造成的，可以用規(guī)定時(shí)間間隔內(nèi)平均頻率的相對(duì)變化來(lái)表示。

晶振3、負(fù)載:其他條件保持不變，負(fù)載在規(guī)問(wèn)定變化答范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)負(fù)載下的輸出頻率的最大允許頻偏（1）測(cè)試出補(bǔ)償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計(jì)算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值；（3）裝配溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，測(cè)試成品振蕩器f-T曲線，評(píng)價(jià)論證補(bǔ)償效果。可以看出，獲得準(zhǔn)確的V-T曲線參數(shù)是溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低，關(guān)系著成品溫補(bǔ)晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。。4、電壓:其他條件保持不變，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)電源電壓下的輸出頻率的最大允許頻偏。

晶振五、封裝與其它電子元件相似,時(shí)鐘振蕩器亦采用愈來(lái)愈小型的封裝.康比電子能夠根據(jù)客戶的需要訂制各種類(lèi)型、不同尺寸的晶體振蕩器（具體資料請(qǐng)參看產(chǎn)品手冊(cè)）.通常晶振2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類(lèi)輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/falltime）、,較小型的器件比較大型的表面貼裝或插腳封裝器件更昂貴.所以,小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間做出折衷.