2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號(hào)的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝（dB）量，可寫(xiě)作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來(lái)表示。

溫補(bǔ)晶振TCXO1、頻率準(zhǔn)確度，在百標(biāo)準(zhǔn)電源電壓，標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容阻抗，基準(zhǔn)溫度以及其他條件保持不變的情況下，石英晶體振蕩器的頻率相對(duì)與其規(guī)定標(biāo)稱值的最大允許偏差不得超過(guò)±50溫補(bǔ)晶振TCXO

。2、溫度穩(wěn)定度，其他規(guī)格條件保持不變，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)石英晶體振蕩器度輸出頻率的最大變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值。9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時(shí)，由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的負(fù)載條件時(shí)的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)

溫補(bǔ)晶振TCXO1、嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對(duì)石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性，及時(shí)處理不良品并分析原因；2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Ｗo(hù)中與外殼封裝起來(lái)，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能本文設(shè)計(jì)提出一種溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓的自動(dòng)測(cè)試方法，對(duì)該過(guò)程實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)控制與測(cè)量。2.1系統(tǒng)硬件組成溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制核心，結(jié)合應(yīng)用軟件，實(shí)現(xiàn)了補(bǔ)償電壓測(cè)試過(guò)程的自動(dòng)化測(cè)試。系統(tǒng)可以完成設(shè)備自動(dòng)控制，儀器的自動(dòng)測(cè)試，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及數(shù)據(jù)分析等功能，大大提高了測(cè)試速度，節(jié)省了工作時(shí)間，還可以提高測(cè)試準(zhǔn)確度，比傳統(tǒng)的人工手動(dòng)測(cè)試具有明顯的優(yōu)越性。。在此工序應(yīng)保持送料倉(cāng)、壓封倉(cāng)和出料倉(cāng)干凈，壓封倉(cāng)要連續(xù)沖氮?dú)?，并在壓封過(guò)程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾?，否則及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無(wú)傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對(duì)稱不可歪斜。

溫補(bǔ)晶振TCXO未來(lái)溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機(jī)械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw溫補(bǔ)晶振TCXO一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。如溫補(bǔ)晶振一般能達(dá)到-7量級(jí)，而恒溫晶振可達(dá)到-9量級(jí)。因此恒溫晶振一般用于高端測(cè)量?jī)x器，如頻率計(jì)、信號(hào)發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補(bǔ)晶振的開(kāi)機(jī)特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個(gè)加溫過(guò)程。想達(dá)到-7量級(jí)，怎么也需要5分鐘左右，而達(dá)-9以上量級(jí)甚至需要一天。因此開(kāi)機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導(dǎo)彈已經(jīng)到達(dá)目標(biāo)，你的晶振還沒(méi)正常工作怎么用？。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見(jiàn)，TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。