本文設(shè)計(jì)提出一種溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓的自動(dòng)測(cè)試方法，對(duì)該過程實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)控制與測(cè)量。2.1系統(tǒng)硬件組成溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制核心，結(jié)合應(yīng)用軟件，實(shí)現(xiàn)了補(bǔ)償電壓測(cè)試過程的自動(dòng)化測(cè)試。系統(tǒng)可以完成設(shè)備自動(dòng)控制，儀器的自動(dòng)測(cè)試，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及數(shù)據(jù)分析等功能，大大提高了測(cè)試速度，節(jié)省了工作時(shí)間，還可以提高測(cè)試準(zhǔn)確度，比傳統(tǒng)的人工手動(dòng)測(cè)試具有明顯的優(yōu)越性。KDS晶振溫度補(bǔ)償晶體振蕩器溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器KDS晶振

溫補(bǔ)晶振作用一個(gè)溫補(bǔ)晶振，可以通過溫度，然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。。TCXO中，對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：集成電路是一種超微型的電子元器件，一個(gè)電路中有晶振器、晶體管、電容電阻及電感等元器件相互連線組成。今天小揚(yáng)給大家談一談?dòng)性淳д瘢瑹o(wú)源晶振與集成電路有何聯(lián)系，讓大家能快速了解與學(xué)習(xí)。首先，我們了解一下什么是單片機(jī)?單片機(jī)，英文稱為Microcontrollers，是一種集成電路芯片，簡(jiǎn)寫為MCU，是采用超大規(guī)模集成電路技術(shù)把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM、只讀存儲(chǔ)器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器等功能(可能還包括顯示驅(qū)動(dòng)電路、脈寬調(diào)制電路、模擬多路轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器等電路)集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個(gè)小而完善的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，在工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。從上世紀(jì)80年代，由當(dāng)時(shí)的4位、8位單片機(jī)，發(fā)展到現(xiàn)在的300M的高速單片機(jī)。

KDS晶振1、嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對(duì)石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性，及時(shí)處理不良品并分析原因；2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Ｗo(hù)中與外殼封裝起來(lái)，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補(bǔ)償電壓）由溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)輸出，溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)隨溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓的測(cè)量多為人工手動(dòng)完成。用小功率直流電壓源代替溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，改變溫度到目標(biāo)點(diǎn)并保溫，然后調(diào)節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達(dá)到中心頻率，此時(shí)電壓源輸出即為該溫度點(diǎn)的補(bǔ)償電壓；在各測(cè)試溫度點(diǎn)重復(fù)以上操作，得到一組數(shù)據(jù)，即V-T曲線數(shù)據(jù)。這種手動(dòng)測(cè)量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，容易產(chǎn)生誤差，難以實(shí)現(xiàn)精確快速的優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)。。在此工序應(yīng)保持送料倉(cāng)、壓封倉(cāng)和出料倉(cāng)干凈，壓封倉(cāng)要連續(xù)沖氮?dú)猓⒃趬悍膺^程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾?，否則及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無(wú)傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對(duì)稱不可歪斜。

KDS晶振二、溫補(bǔ)晶振的發(fā)展趨勢(shì)低功耗、小型化和精度，一直是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，溫補(bǔ)晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難，具體主要表現(xiàn)為兩點(diǎn)：一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小KDS晶振后一種情況(TCXO是開環(huán),頻率在DDS設(shè)置)正變得越來(lái)越普遍,因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的頻率分辨率.由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的,因此設(shè)計(jì)人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞?zhǔn)的頻率如何隨溫度變化做出某些假設(shè),以便他們可以相應(yīng)地規(guī)劃鎖相環(huán)的設(shè)計(jì).由于靈活性,它們?cè)试STCXO用于許多頻率控制應(yīng)用,但一個(gè)重要領(lǐng)域是小型蜂窩基站(毫微微,微型和微微),通常它們被用作定時(shí)分配芯片的固定頻率源.，溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度，會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。