2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、

壓控晶振每個溫補晶振產(chǎn)品在做完整之前都需要經(jīng)過很多工序的檢測，電路板設(shè)有晶振的電子產(chǎn)品在檢漏工序中壓控晶振

，就是在酒精加壓的環(huán)境下，容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動時芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時振時不振或停振。然而金洛電子此歸類出幾點正確的處理方法如下：壓控晶振在振蕩器中，溫度補償晶振也就是人們常說的溫補晶振，是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。用的人居多。然而晶振存在著兩種溫度補償類型。壓控晶振

四、相位噪聲和抖動在頻域測量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實量度.它可測量到中心頻率的1Hz之內(nèi)和通常測量到1MHz.晶體振蕩器的相位噪聲在遠(yuǎn)離中心頻率的頻率下有所改善.TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能.抖動與相位噪聲相關(guān),但是它在時域下測量.以微微秒表示的抖動可用有效值或峰—峰值測出.許多應(yīng)用,例如通信網(wǎng)絡(luò)、無線數(shù)據(jù)傳輸、ATM和SONET要求必須滿足嚴(yán)格的拌動指標(biāo).需要密切注意在這些系統(tǒng)中應(yīng)用的振蕩器的抖動和相位噪聲特性.

壓控晶振3、由于石英晶振是被動組件，它是由IC提供適當(dāng)?shù)募罟β识９ぷ鞯?，因此，?dāng)激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振壓控晶振2系統(tǒng)硬件組成及測試過程溫補網(wǎng)絡(luò)補償電壓的測量多為人工手動完成。用小功率直流電壓源代替溫補網(wǎng)絡(luò)，改變溫度到目標(biāo)點并保溫，然后調(diào)節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達(dá)到中心頻率，此時電壓源輸出即為該溫度點的補償電壓；在各測試溫度點重復(fù)以上操作，得到一組數(shù)據(jù)，即V-T曲線數(shù)據(jù)。這種手動測量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測試數(shù)據(jù)，容易產(chǎn)生誤差，難以實現(xiàn)精確快速的優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)。。所以，應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募罟β?。另外，有功?fù)載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，所以，外加有功負(fù)載時，應(yīng)匹配一個比較合適有功負(fù)載。