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淺析壓控品振VCTCXO供應(yīng)商

發(fā)布時(shí)間:2020-05-31   點(diǎn)擊量:907

圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時(shí)間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.

壓控品振VCTCXO溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO),是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器

。溫補(bǔ)晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求壓控品振VCTCXO。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化)通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器。壓控品振VCTCXO(1)直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路,在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí),熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化,從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移壓控品振VCTCXO

四、相位噪聲和抖動(dòng)在頻域測量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實(shí)量度.它可測量到中心頻率的1Hz之內(nèi)和通常測量到1MHz.晶體振蕩器的相位噪聲在遠(yuǎn)離中心頻率的頻率下有所改善.TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能.抖動(dòng)與相位噪聲相關(guān),但是它在時(shí)域下測量.以微微秒表示的抖動(dòng)可用有效值或峰—峰值測出.許多應(yīng)用,例如通信網(wǎng)絡(luò)、無線數(shù)據(jù)傳輸、ATM和SONET要求必須滿足嚴(yán)格的拌動(dòng)指標(biāo).需要密切注意在這些系統(tǒng)中應(yīng)用的振蕩器的抖動(dòng)和相位噪聲特性.。該補(bǔ)償方式電路簡單,成本較低,節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間,適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí),直接補(bǔ)償方式并不適宜。

壓控品振VCTCXO5、老化:在規(guī)定的環(huán)境條件下,由于元件老化而引起的輸出頻率隨時(shí)專間的系統(tǒng)漂移過程壓控品振VCTCXO高低電平(“1”and“0”level)。7)工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8)頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時(shí),由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率偏移。。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的頻差來量度。對于高穩(wěn)定晶振,由于輸出頻率在較長的工屬作時(shí)間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移,往往用老化率來量度。
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