壓控晶振VCXO一切振蕩器都有一些振幅調(diào)制噪聲和相位調(diào)制噪聲，具體的分析深圳均特利為你詳細(xì)的進(jìn)行分析。

      壓控晶振VCXO的相位噪聲要受振蕩器電路結(jié)構(gòu)和石英晶體的影響。VCXO電源的瞬態(tài)過程或波紋產(chǎn)生的調(diào)制還會使它的相位噪聲性能惡化。相位噪聲的均方根值是由相位噪聲頻譜在給定帶寬內(nèi)求積分而推算出來的。相位噪聲是根據(jù)頻率相對于中心頻率的偏移量來界定的，用單位dBc/Hz表示。鎖相環(huán)電路使用的大多數(shù)VCXO器件必須具有良好的相位噪聲特性。如果應(yīng)用上對相應(yīng)噪聲有嚴(yán)格要求，選用VCXO時就一定要規(guī)定相位噪聲允許的范圍。